remote plasma source原理、電漿鞘層、電漿原理在PTT/mobile01評價與討論，在ptt社群跟網路上大家這樣說

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另外，使用遠端電漿源清潔系統(remote plasma source，. RPS)分解NF3 氣體，並通入反應室內進行清潔，以維持沉積反應後的反應. 室乾淨。反應室下方連接真空幫浦(vacuum ...

RPS为德国牧歌公司的砖利产品。 Remote Plasma Source翻译为“远端等离子源”，其定义来自RPS的工作原理：即等离子只产生并且存在于RPS本体 ...

(Remote Plasma Source Clean). Deposition: SiN, Si, SiO2, etc. Plasma Cleaning: NF3. N2 + F. F + Si SiF4. Plasma Cleaning: NF3. N2 + F. F + Si ...

在一般工業應. 用之弱游離電漿(weakly ionized plasma)中，電子之碰. 撞反應以與中性粒子之碰撞為主，因此當操作於低氣. 壓時，中性粒子密度低，電子碰撞頻率遠低於射頻功.

❑ 在plasma source加裝extracting grids。 ❑ 加偏壓於基材。 ▫ ECR plasma已 ... ▫ 右圖即為一Remote plasma reactor. 其中製程氣體靠感應RF偶合激發石英管內之製. 程 ...

遠距電漿增強化學氣相沉積（Remote plasma-enhanced CVD，RPECVD）：和PECVD技術很相近的技術。但晶圓不直接放在電漿放電的區域，反而放在距離電漿遠一點的地方。晶圓 ...

其原理主要係藉由偵測管體內之氣體解離狀態，並藉由本裝置計算出解離相對量值，當氣體的主路徑污染值過高時，由一第二路徑適量釋出被解離之反應氣體，以排除該主路徑之污染 ...

Remote Plasma CVD (RPCVD). 磊晶矽鍺於高速. •磊晶矽鍺於高速BiCMOS. • 仍在研究與 ... Source RF. Wafer. Plasma. Bias RF. E h k. Chamber body. Helium. Bias RF. E- ...

可利用高密度電漿化學氣相沉積(High-density plasma chemical vapor deposition，簡稱HDP-CVD)來填充許多幾何形狀，這是因為進入介電質的反應物之撞擊軌跡通常呈垂直方向， ...

... remote plasma ； dissociation ratio ； NF3 ； CVD chamber clean ； plasma etching. 分享到. 摘要 │ 參考文獻(19) │ 被引用次數(1) │ 文章國際計量. 摘要〈TOP〉.